NTC-OTE-14-011
Technologie přípravy ultratenkých absorpčních multi-vrstev s nano-částicemi křemíku v Si3N4 dielektrické matrici
Autoři:
Ing. Pavel Calta, Ph.D., 61950
Doc. RNDr. Pavol Šutta, Ph.D., 61950
Číslo projektu:
CZ.1.05/2.1.00/03.0088
Abstrakt:
Byla vyvinuta technologie depozice ultratenkých absorpčních vrstev s křemíkovými nano-krystaly vertikálně oddělenými dielektrickou vrstvou Si3N4. Podle tloušťky křemíkových sub-vrstev a podle úrovně tepelného zpracování (použita pouze chemická depozice) a tloušťky sub-vrstev ve struktuře, byla dosažena průměrná velikost křemíkových nano-krystalů v rozmezí od 3 do 14 nm. Podle očekávání byl kvantový rozměrový efekt výraznější u menších krystalů, přičemž se tento efekt projevil také u multivrstev a-Si:H/Si3N4, v původním post-depozičním stavu (jedno-rozměrový kvantový efekt – vhodný pro fotonické aplikace). Ačkoliv jak v případě použití SiO2, tak i v případě Si3N4 byly dosaženy přibližně stejné výsledky, rozdíl spočívá v tom, že SiO2 a Si3N4 vytvářejí na hranicích křemíkových krystalitů potenciální bariery o různé velikosti.